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10納米工藝 三星將量產(chǎn)高精度閃存芯片

CNMO 【原創(chuàng)】 作者:許華,楊雪濤 2013-04-11 18:57
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  手機中國 新聞你是否在想著給你的手機、平板以及電腦增加更多存儲而需支付高昂的費用而煩惱呢,這里有一個大好的消息。

  三星宣布將從本月開始批量生產(chǎn)128GB NAND閃存芯片,它采用的是3bit多層式晶片設(shè)計和最高行業(yè)精度的10納米工藝技術(shù),預計這種高性能芯片一旦投入市場,將會令市場上的大容量記憶卡、內(nèi)存和固體硬盤SSD等的價格下跌。

最高精度 三星開始批量生產(chǎn)10納米閃存
10納米工藝的3bit 128GB NAND閃存芯片

  另外,這種芯片能夠?qū)崿F(xiàn)400Mbps的數(shù)據(jù)傳輸速度。三星計劃將它放入128GB microSD卡以及超過500GB存儲容量的SSD的制造中,以便加快固體硬盤到閃存之間的轉(zhuǎn)換。希望有一天我們能看到我們的手機和平板的機身內(nèi)存中嵌入了這種芯片。

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