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曝華為高通聯(lián)發(fā)科10nm芯片參數(shù) 誰更強(qiáng)

CNMO 【原創(chuàng)】 作者:王樂,李勇 2016-11-28 09:55
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  【手機(jī)中國 新聞】處理器是手機(jī)性能的關(guān)鍵一環(huán),而強(qiáng)悍的處理器是手機(jī)性能發(fā)燒友的最愛。隨著前段時間高通驍龍835的發(fā)布,幾家主流的芯片廠商也開始加入到明年的芯片大戰(zhàn)中,而他們圍繞的中心非10納米工藝莫屬。

曝華為高通聯(lián)發(fā)科10nm芯片參數(shù) 誰更強(qiáng)

  近日,有產(chǎn)業(yè)鏈人士曝光了一份高通、聯(lián)發(fā)科和華為明年新旗艦CPU的對比表格,如下:

曝華為高通聯(lián)發(fā)科10nm芯片參數(shù) 誰更強(qiáng)

  單從參數(shù)而言,高通驍龍835略勝一籌,如主頻達(dá)到3.0GHz以上,還有X16千兆基帶也優(yōu)勢明顯。而大家最關(guān)心的性能方面,根據(jù)官方公布的數(shù)據(jù),高通驍龍835的性能會提升27%,聯(lián)發(fā)科Helio X30則是43%,而華為麒麟970則沒有太多的消息。總的來說,以10納米制程工藝加持的三枚芯片,都會是手機(jī)廠商追逐的焦點,到底誰更強(qiáng),明年終會揭曉。

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