【手機中國 新聞】一直以來,三星的旗艦產(chǎn)品在配置方面幾乎都是頂級的,唯獨在運存方面,今年三星的S系列和Note系列都只有4GB的運存,或許在明年運存將不再是三星手機的槽點,因為近日有消息稱三星Galaxy S8有可能會采用8GB內(nèi)存和UFS 2.1閃存芯片。
之所以會有這樣的消息放出,還是因為三星在今年10月份發(fā)布公告稱,基于10nm工藝的首款8GB LPDDR4 DRAM成片。因此三星的Galaxy S8會使用上8GB內(nèi)存和UFS 2.1閃存芯片,在技術(shù)上已經(jīng)沒有什么阻礙,畢竟都是自家的東西。
此外,還有消息稱三星Galaxy S8將會推出兩個版本,而且都將采用雙曲面屏,而屏幕尺寸分別調(diào)整至5.7英寸和6.2英寸,并且三星S8還將采用無邊框設(shè)計,移除底部的Home按鈕來提升屏占比。而處理器方面,考慮到高通下一代旗艦高通驍龍835是與三星合作研發(fā),所以三星下一代旗艦機型Galaxy S8將首發(fā)驍龍835基本沒有懸念了,并且三星還會將3.5mm耳機接口改為Type-C接口。
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