驍龍5G芯片曝光：三星7nm LPP EUV工藝

　　2月23日消息，繼續(xù)本月初三星高通在各種技術(shù)領(lǐng)域和移動(dòng)設(shè)備范圍達(dá)成多年戰(zhàn)略合作關(guān)系之后，高通宣布與三星電子擴(kuò)大EUV制程工藝的代工合作，包括采用三星7納米LPP（Low Power Plus）EUV制程工藝制造未來(lái)驍龍5G移動(dòng)芯片組。

　　去年五月，三星推出其首款采用EUV光刻解決方案的半導(dǎo)體制程工藝7LPP EUV。EUV光刻技術(shù)的部署預(yù)計(jì)將打破摩爾定律的壁壘，為單納米半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展鋪平道路。

　　據(jù)悉，通過(guò)采用三星7LPP EUV制程工藝，驍龍5G移動(dòng)芯片組的芯片尺寸可以變得更小，從而為OEM廠商即將推出的產(chǎn)品提供更多可用空間，以支持更大電池或更纖薄設(shè)計(jì)。工藝改進(jìn)與更先進(jìn)芯片設(shè)計(jì)的結(jié)合預(yù)計(jì)將帶來(lái)顯著提升的電池續(xù)航。

　　相較于其前代10納米FinFET技術(shù)，三星的7LPP EUV技術(shù)通過(guò)更少工藝步驟和更佳良率，不僅極大地降低了工藝復(fù)雜性，也帶來(lái)了高達(dá)40%的面積效率，同時(shí)實(shí)現(xiàn)10%的性能提升或高達(dá)35%的功耗降低。

　　Qualcomm Technologies, Inc.供應(yīng)鏈及采購(gòu)高級(jí)副總裁RK Chunduru表示：“我們很高興能夠與三星共同引領(lǐng)5G移動(dòng)行業(yè)。通過(guò)采用7納米 LPP EUV，我們?nèi)乱淮旪?G移動(dòng)芯片組將充分利用工藝改進(jìn)和先進(jìn)的芯片設(shè)計(jì)，以提高未來(lái)終端的用戶體驗(yàn)?！?/p>

　　三星電子代工業(yè)務(wù)銷售及市場(chǎng)執(zhí)行副總裁Charlie Bae表示：“我們很高興擴(kuò)大與Qualcomm Technologies的代工合作關(guān)系，在5G技術(shù)中采用我們的EUV制程工藝。此次合作是我們代工業(yè)務(wù)的里程碑，表明了對(duì)于三星領(lǐng)先制程工藝的信心?！?/p>

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