20納米工藝 三星4Gb移動(dòng)內(nèi)存開(kāi)始量產(chǎn)

　　【手機(jī)中國(guó) 新聞】幾個(gè)月前三星開(kāi)始推出30納米工藝的LPDDR3移動(dòng)內(nèi)存，現(xiàn)在該制造商似乎要將手機(jī)行業(yè)帶往更高的水平--開(kāi)始量產(chǎn)超快速的20納米工藝技術(shù)的4Gb LPDDR3 DRAM。

三星20納米工藝技術(shù)的4Gb LPDDR3 DRAM開(kāi)始量產(chǎn)

　　據(jù)三星稱，4Gb LPDDR3 DRAM數(shù)據(jù)傳輸速度高達(dá)2133Mbp/每引腳，傳輸性能是之前移動(dòng)內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)LPDDR2 800Mbps的2倍以上。它能在一秒內(nèi)將三部全高清總?cè)萘扛哌_(dá)17GB的影片存入設(shè)備中。與30納米工藝的LPDDR3 DRAM相比，新設(shè)備效能將提升30%以上，電量節(jié)省20%。

　　盡管手機(jī)設(shè)備一直在減重，但是電池體積卻一直在增長(zhǎng)。如果采用三星4Gb LPDDR3 DRAM，原始設(shè)備制造商能將2GB的封包，達(dá)成1個(gè)高度僅為0.8毫米的封包，其中包括四個(gè)三星4Gb LPDDR3移動(dòng)芯片，為電池騰出更多的空間。

　　三星還表示，為了加強(qiáng)內(nèi)存記憶體的業(yè)內(nèi)領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)，三星還將于今年晚些時(shí)候增加20納米工藝的4Gb LPDDR3 DRAM的產(chǎn)量。

相關(guān)新聞：
10納米工藝 三星將量產(chǎn)高精度閃存芯片

版權(quán)所有，未經(jīng)許可不得轉(zhuǎn)載